南大光电具有自主知识产权的TMA自制产品正式下线并圆满完成首销，一举打破了我国在TMA合成方面的持久空白。
南大微电子一期安装工程主体完工。
南大光电《电子半导体材料（MO源和离子注入气体）》荣膺2021年 工信部“第六批制造业单项冠军”。
南大光电“先进光刻胶产品开发与财产化”项目通过验收。
南大光电与乌兰察布市合作建设的内蒙古乌兰察布氟硅电子新材料基地暨南大微电子材料项目开工。
乌兰察布南大微电子材料有限公司成立。
· 南大光电成为全国首个电子材料民营企业购置193nm浸没式光刻机，光刻胶财产迈向新阶段。
· 光刻胶第二条生产线建成。
光刻胶第一条生产线建成。
南大光电与宁波经济技术开发区就先进光刻胶原材料及配套材料开发和财产化项目再次签订合作协议。
投资并购山东飞源气体有限公司，进入大宗氟化类电子特气领域。
南大光电半导体材料有限公司成立。
· 获得国家“02-专项”ArF光刻胶开发和财产化项目立项。
· 同期，年产170吨MO源和高K三甲基铝项目落地全椒，筹备成立南大光电半导体材料有限公司。
与宁波经济技术开发区签订投资协议，注册成立“宁波南大光电材料有限公司”，负 责“02-专项”ArF光刻胶开发和财产化项目落地实施。
· 获国家“02-专项”193nm 光刻胶及配套材料关键技术的开发项目立项。
· 建成8条ALD/CVD前驱体系列产品生产线，已有部分产品通过知名客户验证并具备批量供货能力。
· 引进高K三甲基铝先进生产线。
公司召开2016年度股东大会，选举发生了公司第七届董事会，正式进入“二次创业”期。
承担国家“02-专项”ALD金属有机前驱体产品的开发和安全离子注入产品开发项目。
全椒南大光电材料有限公司成立。
获国家“02-专项”高纯特种电子气体研发与财产化项目立项支持，启动极大规模集成电路砷烷、磷烷等特种气体的研发工作，用3年时间攻克了国内30年未能解决的课题。
南大光电在深交所创业板上市。
MO源产品被列为“国家重点新产品”。
MO源项目被国家计委列为“高技术财产化示范工程光电子专项项目（MO源）”。
高纯金属有机化合物（MO源）获得科技部颁发的“国家级火炬计划项目证书”。
12月28日，江苏南大光电材料股份有限公司正式注册成立。
“高纯金属有机化合物（MO源）光电子材料的支撑原材料”课题获国家教委“科 技进步二等奖”。
南大MO源研究课题组被国家科技部提升为国家级研发中心并命名为“国家‘863计划’新材料MO源研究开发中心”。
课题开发取得突破性进展，研制出高纯三甲基锑产品
公司创始人孙祥祯教授的“MO源研究课题”纳入国家“863计划”
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